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淺析非均勻分布冗余DRAM 的修復(fù)方法的論文

時(shí)間:2021-05-28 20:01:59 論文 我要投稿

關(guān)于淺析非均勻分布冗余DRAM 的修復(fù)方法的論文

  隨著DRAM 制作體積的不斷縮小以及存儲容量的不斷增加,量產(chǎn)出的DRAM 芯片中必然存在失效的存儲單元。為了使DRAM 能夠正常使用,芯片設(shè)計(jì)中包含了冗余單元,冗余單元用于失效單元的修復(fù),以達(dá)到量產(chǎn)合格DRAM 的目的。在傳統(tǒng)DRAM 設(shè)計(jì)中,冗余單元在芯片中均勻分布,因此,用于分析DRAM 修復(fù)的軟件僅能夠?qū)θ哂嗑鶆蚍植嫉腄RAM 進(jìn)行修復(fù)分析。但隨著降低生產(chǎn)成本的要求出現(xiàn),芯片面積不斷減小,設(shè)計(jì)人員不再采用均勻分布冗余的設(shè)計(jì)理念,取而代之的是在芯片任意剩余面積上加入冗余,因此,修復(fù)軟件遇到了瓶頸,影響了DRAM 量產(chǎn)。本文通過虛擬冗余的引入,使任意冗余分布的DRAM 均可復(fù)用DRAM 修復(fù)軟件,并通過虛擬冗余的強(qiáng)制失效處理實(shí)現(xiàn)DRAM 的正確修復(fù)。

關(guān)于淺析非均勻分布冗余DRAM 的修復(fù)方法的論文

  1 非均勻分布冗余DRAM

  修復(fù)軟件的瓶頸DRAM 的修復(fù)依賴于DRAM 修復(fù)軟件,修復(fù)軟件將根據(jù)DRAM 冗余字線和冗余位線在地址失效記憶體AFM(AddressFailure Memory)的分布信息以及DRAM 實(shí)際功能測試的結(jié)果,以提供最優(yōu)的修復(fù)方案,即DRAM 的'冗余單元和測試失效地址的修復(fù)對應(yīng)關(guān)系。

  1.1 DRAM 設(shè)計(jì)地址與AFM 的映射關(guān)系

  在通用愛德萬DRAM 測試機(jī)臺中,AFM 的作用有以下2點(diǎn):①用于記錄并累加DRAM 在所有功能測試項(xiàng)中的失效地址;②測試人員可以在AFM 中給出DRAM 冗余的分布信息,DRAM 修復(fù)軟件將對AFM 中的信息加以提取并進(jìn)一步分析,最終給出DRAM 的最優(yōu)化修復(fù)方法。以一款1G DRAM 設(shè)計(jì)為例,如圖1 所示,根據(jù)JEDEC 設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn),1G DRAM 有13 位字線地址、10 位位線地址、3 位bank地址以及冗余激活地址。在測試中,測試人員將對設(shè)計(jì)地址進(jìn)行AFM 的映射處理,實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)地址和AFM 地址的一對一映射關(guān)系,為DRAM 的修復(fù)做準(zhǔn)備工作。

  1.2 DRAM 的冗余與AFM 的映射關(guān)系

  冗余分布和AFM 映射分布如圖2 所示。針對該款DRAM產(chǎn)品,為了減少芯片面積,進(jìn)一步提升設(shè)計(jì)靈活性,芯片設(shè)計(jì)人員采用了非均勻冗余的設(shè)計(jì)理念。以1G DRAM bank0 為例,對于位線冗余,電路的設(shè)計(jì)為位線冗余由RA12 分為2 個(gè)獨(dú)立區(qū)域且均勻分布,字線冗余僅分布在RA12 為1 的區(qū)域,冗余地址為RA[11∶0]等于[0∶0]和[1∶1]。圖2 為冗余分布和AFM的映射關(guān)系。在AFM 中,X13 為0 且Y13 為0 的區(qū)域?yàn)橹鞔鎯^(qū),X13 為0 且Y13 為1 的區(qū)域?yàn)槲痪€冗余區(qū),X13 為1 且Y13 為0 的區(qū)域?yàn)樽志€冗余區(qū)。

  1.3 DRAM 修復(fù)軟件的瓶頸

  由于電路設(shè)計(jì)采用RA12 分割位線冗余,將一個(gè)位線冗余地址分為2 段獨(dú)立的位線用于DRAM 的位線失效修復(fù),以提升修復(fù)靈活性。因此,DRAM 修復(fù)軟件需要從AFM 中提取與RA12對應(yīng)的X12 的信息對冗余分布狀態(tài)做評估。在圖2 中,字線冗余僅在X12 為1 的區(qū)域呈現(xiàn)均勻分布態(tài),該區(qū)域有2 個(gè)字線冗余,X12 為0 的區(qū)域無字線冗余分布。由于以X12 為分割的2個(gè)區(qū)域內(nèi)字線冗余分布狀態(tài)不同,軟件無法對DRAM 進(jìn)行修復(fù)分析。

  1.4 借用虛擬冗余突破DRAM 修復(fù)軟件瓶頸

  為了不升級DRAM 修復(fù)軟件并使之繼續(xù)為該款產(chǎn)品服務(wù),以達(dá)到降低生產(chǎn)成本、規(guī)避量產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)的目的,一種引入虛擬冗余的修復(fù)方法將被采用。如圖3 所示,基于冗余修復(fù)軟件要求,在字線冗余區(qū)域內(nèi)以X12 為分割的左右兩邊的字線冗余必須呈現(xiàn)均勻分布態(tài)。因此,新的方法在X12 為0 的字線冗余區(qū)域內(nèi)同時(shí)加入2 個(gè)虛擬字線冗余,且虛擬字線冗余地址與字線冗余區(qū)域內(nèi)X12 為1 區(qū)域的字線冗余地址相同,即RA[11∶0]等于[0∶0]和[1∶1],最終使以X12 為分割的字線冗余區(qū)內(nèi)的字線冗余呈均勻分布。虛擬字線冗余概念的引入可以從根本上解決DRAM 修復(fù)軟件對冗余均勻分布要求的瓶頸。在該款DRAM 的實(shí)際測試中,虛擬字線冗余與DRAM 的真實(shí)冗余相結(jié)合,使芯片的測試和修復(fù)正常進(jìn)行。

  2 虛擬冗余的后續(xù)處理

  2.1 虛擬冗余引入帶來的問題

  虛擬冗余的引入使DRAM 的生產(chǎn)測試不受修復(fù)軟件瓶頸的制約,從而實(shí)現(xiàn)DRAM 在愛德萬測試機(jī)臺上的量產(chǎn)。但由于在DRAM 的真實(shí)設(shè)計(jì)中不包含虛擬冗余,因此,虛擬冗余不能用于DRAM 的修復(fù)。該問題在DRAM 晶圓級測試的初期必須解決,否則DRAM 修復(fù)將發(fā)生錯誤,該錯誤導(dǎo)致DRAM 的良

  率為0,即晶圓全損,后端封測無法正常進(jìn)行。

  2.2 虛擬冗余強(qiáng)制失效處理

  虛擬冗余不存在于真實(shí)的DRAM,不能用于DRAM 的修

  復(fù)。因此,必須使虛擬冗余在AFM 中的記錄為失效地址,才不會被DRAM 的修復(fù)軟件使用。針對此需求,在DRAM 的測試中,引入強(qiáng)制失效測試項(xiàng),針對虛擬冗余進(jìn)行強(qiáng)制失效處理。強(qiáng)制失效處理是對虛擬冗余的地址進(jìn)行讀操作,且讀操作必須失敗。即讀1 時(shí),比較數(shù)據(jù)為0;或讀0 時(shí),比較數(shù)據(jù)為1。該失效信息將被記錄在AFM 中,當(dāng)DRAM 修復(fù)軟件從AFM中提取失效地址信息時(shí),檢測到虛擬冗余的地址是失效的,因此,在生成修復(fù)算法時(shí),失效的虛擬冗余將會被修復(fù)軟件自動過濾,不會用于DRAM 的修復(fù),保證量產(chǎn)的正確性。

  地址進(jìn)行強(qiáng)制失效后,AFM 中將記錄如下信息:F bit 為1 時(shí)表示失效是整個(gè)字線或整個(gè)位線,并非散點(diǎn)失效;Y11∶Y10 等于0∶0 表示失效位于bank0;X13 為1 表示失效地址位于字線冗余區(qū);X12 為0 表示字線失效位于虛擬冗余區(qū);X11∶0 全0 和全1 為虛擬的2 條字線的實(shí)際地址。如上失效信息被存入AFM 后,DRAM 修復(fù)軟件將能夠產(chǎn)生真實(shí)冗余和失效單元的正確修復(fù)方案。

  3 結(jié)束語

  本文通過虛擬冗余的引入實(shí)現(xiàn)了任意冗余分布的DRAM的正常測試,給芯片設(shè)計(jì)人員提供了最高的設(shè)計(jì)靈活性,同時(shí),保證了DRAM 量產(chǎn)修復(fù)軟件的重復(fù)使用。通過虛擬冗余的引入以及后續(xù)的強(qiáng)制失效處理,保證了DRAM 的正確修復(fù),降低了生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn),縮短了生產(chǎn)周期,節(jié)約了生產(chǎn)成本。

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關(guān)于淺析非均勻分布冗余DRAM 的修復(fù)方法的論文

  隨著DRAM 制作體積的不斷縮小以及存儲容量的不斷增加,量產(chǎn)出的DRAM 芯片中必然存在失效的存儲單元。為了使DRAM 能夠正常使用,芯片設(shè)計(jì)中包含了冗余單元,冗余單元用于失效單元的修復(fù),以達(dá)到量產(chǎn)合格DRAM 的目的。在傳統(tǒng)DRAM 設(shè)計(jì)中,冗余單元在芯片中均勻分布,因此,用于分析DRAM 修復(fù)的軟件僅能夠?qū)θ哂嗑鶆蚍植嫉腄RAM 進(jìn)行修復(fù)分析。但隨著降低生產(chǎn)成本的要求出現(xiàn),芯片面積不斷減小,設(shè)計(jì)人員不再采用均勻分布冗余的設(shè)計(jì)理念,取而代之的是在芯片任意剩余面積上加入冗余,因此,修復(fù)軟件遇到了瓶頸,影響了DRAM 量產(chǎn)。本文通過虛擬冗余的引入,使任意冗余分布的DRAM 均可復(fù)用DRAM 修復(fù)軟件,并通過虛擬冗余的強(qiáng)制失效處理實(shí)現(xiàn)DRAM 的正確修復(fù)。

關(guān)于淺析非均勻分布冗余DRAM 的修復(fù)方法的論文

  1 非均勻分布冗余DRAM

  修復(fù)軟件的瓶頸DRAM 的修復(fù)依賴于DRAM 修復(fù)軟件,修復(fù)軟件將根據(jù)DRAM 冗余字線和冗余位線在地址失效記憶體AFM(AddressFailure Memory)的分布信息以及DRAM 實(shí)際功能測試的結(jié)果,以提供最優(yōu)的修復(fù)方案,即DRAM 的'冗余單元和測試失效地址的修復(fù)對應(yīng)關(guān)系。

  1.1 DRAM 設(shè)計(jì)地址與AFM 的映射關(guān)系

  在通用愛德萬DRAM 測試機(jī)臺中,AFM 的作用有以下2點(diǎn):①用于記錄并累加DRAM 在所有功能測試項(xiàng)中的失效地址;②測試人員可以在AFM 中給出DRAM 冗余的分布信息,DRAM 修復(fù)軟件將對AFM 中的信息加以提取并進(jìn)一步分析,最終給出DRAM 的最優(yōu)化修復(fù)方法。以一款1G DRAM 設(shè)計(jì)為例,如圖1 所示,根據(jù)JEDEC 設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn),1G DRAM 有13 位字線地址、10 位位線地址、3 位bank地址以及冗余激活地址。在測試中,測試人員將對設(shè)計(jì)地址進(jìn)行AFM 的映射處理,實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)地址和AFM 地址的一對一映射關(guān)系,為DRAM 的修復(fù)做準(zhǔn)備工作。

  1.2 DRAM 的冗余與AFM 的映射關(guān)系

  冗余分布和AFM 映射分布如圖2 所示。針對該款DRAM產(chǎn)品,為了減少芯片面積,進(jìn)一步提升設(shè)計(jì)靈活性,芯片設(shè)計(jì)人員采用了非均勻冗余的設(shè)計(jì)理念。以1G DRAM bank0 為例,對于位線冗余,電路的設(shè)計(jì)為位線冗余由RA12 分為2 個(gè)獨(dú)立區(qū)域且均勻分布,字線冗余僅分布在RA12 為1 的區(qū)域,冗余地址為RA[11∶0]等于[0∶0]和[1∶1]。圖2 為冗余分布和AFM的映射關(guān)系。在AFM 中,X13 為0 且Y13 為0 的區(qū)域?yàn)橹鞔鎯^(qū),X13 為0 且Y13 為1 的區(qū)域?yàn)槲痪€冗余區(qū),X13 為1 且Y13 為0 的區(qū)域?yàn)樽志€冗余區(qū)。

  1.3 DRAM 修復(fù)軟件的瓶頸

  由于電路設(shè)計(jì)采用RA12 分割位線冗余,將一個(gè)位線冗余地址分為2 段獨(dú)立的位線用于DRAM 的位線失效修復(fù),以提升修復(fù)靈活性。因此,DRAM 修復(fù)軟件需要從AFM 中提取與RA12對應(yīng)的X12 的信息對冗余分布狀態(tài)做評估。在圖2 中,字線冗余僅在X12 為1 的區(qū)域呈現(xiàn)均勻分布態(tài),該區(qū)域有2 個(gè)字線冗余,X12 為0 的區(qū)域無字線冗余分布。由于以X12 為分割的2個(gè)區(qū)域內(nèi)字線冗余分布狀態(tài)不同,軟件無法對DRAM 進(jìn)行修復(fù)分析。

  1.4 借用虛擬冗余突破DRAM 修復(fù)軟件瓶頸

  為了不升級DRAM 修復(fù)軟件并使之繼續(xù)為該款產(chǎn)品服務(wù),以達(dá)到降低生產(chǎn)成本、規(guī)避量產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)的目的,一種引入虛擬冗余的修復(fù)方法將被采用。如圖3 所示,基于冗余修復(fù)軟件要求,在字線冗余區(qū)域內(nèi)以X12 為分割的左右兩邊的字線冗余必須呈現(xiàn)均勻分布態(tài)。因此,新的方法在X12 為0 的字線冗余區(qū)域內(nèi)同時(shí)加入2 個(gè)虛擬字線冗余,且虛擬字線冗余地址與字線冗余區(qū)域內(nèi)X12 為1 區(qū)域的字線冗余地址相同,即RA[11∶0]等于[0∶0]和[1∶1],最終使以X12 為分割的字線冗余區(qū)內(nèi)的字線冗余呈均勻分布。虛擬字線冗余概念的引入可以從根本上解決DRAM 修復(fù)軟件對冗余均勻分布要求的瓶頸。在該款DRAM 的實(shí)際測試中,虛擬字線冗余與DRAM 的真實(shí)冗余相結(jié)合,使芯片的測試和修復(fù)正常進(jìn)行。

  2 虛擬冗余的后續(xù)處理

  2.1 虛擬冗余引入帶來的問題

  虛擬冗余的引入使DRAM 的生產(chǎn)測試不受修復(fù)軟件瓶頸的制約,從而實(shí)現(xiàn)DRAM 在愛德萬測試機(jī)臺上的量產(chǎn)。但由于在DRAM 的真實(shí)設(shè)計(jì)中不包含虛擬冗余,因此,虛擬冗余不能用于DRAM 的修復(fù)。該問題在DRAM 晶圓級測試的初期必須解決,否則DRAM 修復(fù)將發(fā)生錯誤,該錯誤導(dǎo)致DRAM 的良

  率為0,即晶圓全損,后端封測無法正常進(jìn)行。

  2.2 虛擬冗余強(qiáng)制失效處理

  虛擬冗余不存在于真實(shí)的DRAM,不能用于DRAM 的修

  復(fù)。因此,必須使虛擬冗余在AFM 中的記錄為失效地址,才不會被DRAM 的修復(fù)軟件使用。針對此需求,在DRAM 的測試中,引入強(qiáng)制失效測試項(xiàng),針對虛擬冗余進(jìn)行強(qiáng)制失效處理。強(qiáng)制失效處理是對虛擬冗余的地址進(jìn)行讀操作,且讀操作必須失敗。即讀1 時(shí),比較數(shù)據(jù)為0;或讀0 時(shí),比較數(shù)據(jù)為1。該失效信息將被記錄在AFM 中,當(dāng)DRAM 修復(fù)軟件從AFM中提取失效地址信息時(shí),檢測到虛擬冗余的地址是失效的,因此,在生成修復(fù)算法時(shí),失效的虛擬冗余將會被修復(fù)軟件自動過濾,不會用于DRAM 的修復(fù),保證量產(chǎn)的正確性。

  地址進(jìn)行強(qiáng)制失效后,AFM 中將記錄如下信息:F bit 為1 時(shí)表示失效是整個(gè)字線或整個(gè)位線,并非散點(diǎn)失效;Y11∶Y10 等于0∶0 表示失效位于bank0;X13 為1 表示失效地址位于字線冗余區(qū);X12 為0 表示字線失效位于虛擬冗余區(qū);X11∶0 全0 和全1 為虛擬的2 條字線的實(shí)際地址。如上失效信息被存入AFM 后,DRAM 修復(fù)軟件將能夠產(chǎn)生真實(shí)冗余和失效單元的正確修復(fù)方案。

  3 結(jié)束語

  本文通過虛擬冗余的引入實(shí)現(xiàn)了任意冗余分布的DRAM的正常測試,給芯片設(shè)計(jì)人員提供了最高的設(shè)計(jì)靈活性,同時(shí),保證了DRAM 量產(chǎn)修復(fù)軟件的重復(fù)使用。通過虛擬冗余的引入以及后續(xù)的強(qiáng)制失效處理,保證了DRAM 的正確修復(fù),降低了生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn),縮短了生產(chǎn)周期,節(jié)約了生產(chǎn)成本。